科銳SiC基MOSFET PK 傳統(tǒng)Si基IGBT

科銳SiC基MOSFET PK 傳統(tǒng)Si基IGBT

        以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在LED半導(dǎo)體照明領(lǐng)域獲得重要應(yīng)用之后，不斷取得新突破，成功拓展其在新一代電力電子領(lǐng)域應(yīng)用。

       科銳（Nasdaq: CREE）SiC基MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）技術(shù)獲得顯著提升，能夠在1700V電壓下工作，開關(guān)損耗僅為采用傳統(tǒng)Si基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的1/6，在實(shí)現(xiàn)高性能的同時(shí)還能減少配套零部件的物料成本，從而在系統(tǒng)層面顯著節(jié)約開支，可完全顛覆電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域現(xiàn)有規(guī)則，開啟更多令人振奮的設(shè)計(jì)選項(xiàng)。

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       2014年1月15日，美國政府正式宣布全力支持以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，旨在引領(lǐng)針對下一代電力電子的制造業(yè)創(chuàng)新。計(jì)劃在未來的5年里，通過使以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)擁有當(dāng)前Si基電力電子技術(shù)的成本競爭力，實(shí)現(xiàn)下一代節(jié)能高效大功率電力電子芯片和器件，從而引領(lǐng)包括消費(fèi)類電子、工業(yè)設(shè)備、通訊、清潔能源等在內(nèi)的多個(gè)全球最大規(guī)模、最快增長速度的產(chǎn)業(yè)市場，全面提升國際競爭力并創(chuàng)造高薪就業(yè)機(jī)會。

       2014年11月7日，國家科技部曹健林副部長在第十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇主題報(bào)告“開放創(chuàng)新融合－科技大跨界時(shí)代的產(chǎn)業(yè)發(fā)展”中指出： 從諾貝爾物理獎(jiǎng)的半導(dǎo)體技術(shù)分布來看，未來將是第三代半導(dǎo)體，是整個(gè)業(yè)界努力的一個(gè)方向。第三代半導(dǎo)體技術(shù)將在能源、節(jié)能減排、國防安全、新一代信息技術(shù)和人類生活等各個(gè)方面產(chǎn)生巨大的影響。第三代半導(dǎo)體，是解決低碳、智能、綠色發(fā)展的突破口。第三代半導(dǎo)體，將引領(lǐng)下一代技術(shù)和應(yīng)用的戰(zhàn)略變革。

       以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，能夠在更高溫度和更高電壓及頻率的環(huán)境下正常工作，同時(shí)消耗更少的電力、具有更強(qiáng)的持久性和可靠性，這將為下一代擁有更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品（包括個(gè)人電子設(shè)備、電動汽車、可再生能源聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)規(guī)模的變速驅(qū)動電機(jī)、更智能化及更靈活的電網(wǎng)、移動信息大數(shù)據(jù)時(shí)代服務(wù)器網(wǎng)絡(luò)等）提供飛躍的機(jī)遇。

       在LED半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，SiC技術(shù)同樣發(fā)揮了重要影響和引領(lǐng)作用。SiC襯底，有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯(cuò)，更高的電光轉(zhuǎn)換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱。科銳開創(chuàng)性的SC5技術(shù)平臺和超大功率XHP LED器件基于業(yè)界最強(qiáng)的SiC技術(shù)，在LED外延結(jié)構(gòu)和芯片架構(gòu)方面實(shí)現(xiàn)了諸多重要技術(shù)提升，并且開發(fā)出經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)的先進(jìn)光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn)最佳散熱性能和光學(xué)性能，并且使得系統(tǒng)層面的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、機(jī)械學(xué)成本大幅降低。