顯示應(yīng)用常用術(shù)語

顯示應(yīng)用常用術(shù)語（20110901）

LED：英文 Light Emitting Diode 的縮寫，指發(fā)光二極管，當被電流激發(fā)時通過傳導(dǎo)電子和空穴的再復(fù)合產(chǎn)生自發(fā)輻射而發(fā)出非相干光的一種半導(dǎo)體二極管。

白光 LED ：用單色芯片加熒光粉或多色芯片組合合成白色光的 LED。

直插式LED ： Dual In-line Package LED，帶有正負極引線、適用于通孔插入安裝工藝的LED。

貼片式LED、SMDLED： Surface Mounted Devices LED，正負電極在封裝基板上、適用于表面安裝工藝的LED

背光源：為 LCD 提供背部光源的發(fā)光組件，是一種能把點光源或線光源發(fā)出的光通過漫反射使之成為面光源的發(fā)光組件。

外延、外延生長： 用氣相、液相或分子束等方法在襯底上生長單晶材料的工藝。在襯底上生長組分與襯底材料相同的單晶材料，稱同質(zhì)外延；在襯底上生長與襯底組分不同的單晶材料，稱異質(zhì)外延。

外延片、外延晶片： LED 外延片，用外延方法制備的具有電致發(fā)光功能的結(jié)

構(gòu)片

芯片 ： LED 芯片，具有器件功能的最小單元，具備正負電極、通電后可發(fā)光的半導(dǎo)體光電產(chǎn)品，由外延片經(jīng)特定工藝加工而成

MOCVD ：金屬有機化學(xué)汽相沉積（Metal-organic Chemical Vapor Deposition）的英文縮寫。金屬有機化合物和非金屬氫化物的汽相源經(jīng)熱分解合成反應(yīng)外延生長單晶材料的方法。

封裝： LED 封裝，將LED 芯片和焊線包封起來，并提供電連接、出光和散熱通道、機械和環(huán)境保護及外形尺寸。

吸收比 ： 吸收的輻射通量對入射輻射通量之比，等于 1 減去反射比與透射比

發(fā)射率 ：又稱為“比輻射率”，物體通過表面向外輻射的電磁能與同溫度的黑體在相同條件下所輻射的電磁能的比值，是在0 與1 之間變化的，衡量物體輻射能力強弱的數(shù)值。

一次配光、一次透鏡：一次配光指在 LED 發(fā)光器件封裝時對光線進行重新分

配，以解決LED 的出光角度、光通量大小、光強分布、色溫空間分布的問題；實現(xiàn)一次配光的器件為一次透鏡。

二次配光、二次透鏡： 二次配光指對 LED 光源所發(fā)出的光線進行重新分配，以解決LED 的出光角度、光通量大小、光強分布、色溫空間分布的問題；實現(xiàn)二次配光的器件為二次透鏡。

出光效率：逸出 LED 結(jié)構(gòu)的光子數(shù)與有源區(qū)產(chǎn)生的光子數(shù)之比。

色溫 ： 一種表示光源光色的尺度，當光源的色品與某一溫度下完全輻射體的色品相同時，該完全輻射體的絕對溫度為此光源的色溫。

顯色指數(shù) ： 光源顯色性的度量，以被測光源下物體的顏色和參照光源下物體的顏色的相符程度來表示。國際照明委員會把太陽的顯色指數(shù)定為100。

像素： Pixel，為圖像中最小的完整采樣。一般來講，單位面積內(nèi)的像素越多，圖像越清晰；而像素大小、間距相同時，像素越多，圖像越大。

Al2O3 ：氧化鋁，或三氧化二鋁。

SiC ：碳化硅

Si ：硅

ZnO ：氧化鋅

GaN ：氮化鎵

GaP ：磷化鎵

GaAsP ：鎵砷磷，或磷化鎵砷

AlGaAs ：鋁鎵砷

AlGaInP ：鋁鎵銦磷，或磷化鋁鎵銦

GaInN：鎵銦氮，或氮化鎵銦

納秒 ： 10-9 秒，或10 億分之一秒

流明 ：光通量的單位，發(fā)光強度為 1 坎德拉（cd）的點光源，在單位立體角（1 球面度）內(nèi)發(fā)出的光通量為1 流明，英文縮寫為lm。

流明/瓦： 發(fā)光效能單位，光源所發(fā)出的總光通量（流明數(shù)）與該光源所消耗的電功率（瓦）的比值；發(fā)光效率值越高，表明照明器材將電能轉(zhuǎn)化為光能的能力越強