2020’LED暨2020LED顯示應用研討會聯合征文通知

　　發布時間：2020-05-08

第十七屆全國LED產業發展與技術（2020’LED）

暨2020全國LED顯示應用技術交流及產業發展研討會

聯合征文通知

 

各相關單位：

十九大報告指出，我國經濟已由高速增長階段轉向高質量發展階段，而以信息技術為基礎的新型基礎設施在中國加快建設，這將為中國經濟高質量發展筑牢新地基。“新基建”在加速新舊動能轉換、推進產業轉型升級、帶動有效投資與優化投資結構、加快高端人才培育及創新社會治理等方面作用突出，將成為我國高質量發展新動能。LED產業作為國家戰略性新興產業的重要組成部分和信息化和工業化融合發展的重要內容，一直把創新作為引領發展的第一動力，近年來LED新技術層出不窮，產業持續增長， LED將以技術提升為基礎，參與“新基建”建設，快速進入高質量發展階段，引領國際LED領域的發展。

在此前提條件下，中國光學光電子行業協會光電器件分會、發光二極管顯示應用分會將于2020年下半年聯合舉辦“第十七屆全國LED產業發展與技術（2020’LED）暨2020全國LED顯示應用技術交流及產業發展研討會”。

我們希望本屆聯合舉辦的研討會能給大家帶來更多的信息和機會。本屆會議擬組織特邀報告、大會交流、產業論壇和產品、樣品宣展等活動。熱忱歡迎大陸和港澳臺廣大科技人員、工程技術人員和企業管理人員積極撰寫論文，到會交流，開展產業研討的平臺，展示新產品、新技術、最新研究成果、技術進步和在應用、開發及生產實踐中所取得的寶貴經驗和成績。

現將會議征文的有關事項通知如下：

一、征文范圍：

1、LED用襯底材料（藍寶石、硅、SiC及其它）技術和工藝研究；

2、MO源的技術研究；

3、LED外延材料制備技術研究；

4、LED芯片制造、器件封裝技術研究；

5、半導體照明光源的相關技術研究；

6、高效、高穩定熒光粉技術研究；

7、LED應用技術研究及市場前景分析；

8、與LED相關的光電器件技術研究；

9、LED產業化中的技術及相關問題；

10、LED測試技術和標準化、可靠性研究；

11、MOCVD設備和LED生產相關設備研究及發展趨勢；

12、海峽兩岸LED產業合作發展的探討與前景;

13、國際LED技術的發展動態及展望；

14、LED、半導體照明技術、工藝的最新進展以及發展前景等綜述類論文

15、LED企業經營管理和資本運作等；

16、LED顯示應用行業、技術國內外發展；

17、LED顯示應用新技術、新產品研究及開發成果；

18、COB、mini-LED、micro-LED顯示前沿技術探討

19、LED顯示應用產品制造裝備、材料、器件；

20、LED顯示系統控制、視頻處理、播放系統及應用

21、LED顯示產品質量、可靠性、檢測、結構和工藝；

22、LED顯示行業規范、技術標準；

23、其他LED/半導體照明、相關顯示技術及產品論文。

二、重要時間：

截稿日期：2020年 8月 30日

錄用通知：2020年 9 月

三、論文郵寄方式：

1、用電子郵件發送到以下郵箱（不需要郵寄打印稿）。

光電器件分會：13933157199@139.com

LED顯示應用分會：hyxh@leds.org.cn

   2、請在文后提供詳細通信地址及聯系電話，以方便聯系。

四、其它：

1、征文未在國內外任何雜志公開發表過。

2、有關事宜可與中國光協光電器件分會秘書處或LED顯示應用分會秘書處聯系。

聯系人：劉育青

電  話：0311-87091253，13933157199

傳  真：0311-87091358

E-mail：13933157199@139.com

聯系人：張  璐

電  話：021-52703216，13601977028

傳  真：021-52703216

E-mail：hyxh@leds.org.cn

       

附件一：稿件格式

 

 

                    中國光學光電子行業協會           中國光學光電子行業協會

                    光電器件分會                   發光二極管顯示應用分會                                                                    二O二O年五月

附件一：稿件格式

      為便于編印會議論文集，文稿用word格式，以E-mail形式提交，2000字左右。要求中英文標題、摘要、關鍵詞、作者姓名（漢拼），排列順序：標題、作者姓名、單位、摘要、關鍵詞、正文、參考文獻。同時提交作者通信地址、郵編、電話及傳真。

一、論文結構要求

1、標題(20個字以內)、關鍵詞(5個)， 作者姓名（不超過6位）、單位地址（含省、市、郵編）、摘要（以上均要求中英文）。摘要部分要求客觀反映論文的主要內容，具有獨立性和自含性，文字不能與正文雷同，不少于250～300個字。技術文章摘要包括：目的、方法、結果和結論；綜述文章摘要包括：對所述的研究或技術發展情況進行簡要概述，該技術目前的發展水平、作者的評論及未來展望等，中、英文對照。

2、正文——字數不限（以2000字左右為佳），語句通暢，結構清晰，文中所提及術語及名稱等盡量為中文，所配圖表（含標注）皆以中文表述，且圖片（黑白色）清晰。曲線圖應去掉沒有坐標一側的框線及底紋，物理量用符號表示，用“/” 與量綱單位隔開，如:V/V；t/ns；J/(μA?cm-2)，刻度線應在框內側，只保留主要刻度線。

3、參考文獻——按正文中出現的次序列于文后，如引用期刊文章格式為：[序號]主要責任者.文獻題名[文獻類型標識].刊名,年,卷（期)：起止頁碼，文獻類型標識為：專著[M]，論文集[C]，期刊[J]，學位論文[D]，報告[R]，標準[S]，專利[P]，工具書[K]。范例：

[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Appl Phys A, 1988, 45(1):342-347.

[2] 白居憲.低噪聲頻率合成[M].陜西：西安交通大學出版社，1995：50-70.

[3] WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]//IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conf. New York, USA，1997:123-129.

4、作者簡介——提供最多三位作者的簡介（在校生要給出導師簡介），格式如下：姓名（出生年—），性別，（民族—漢族可省略），籍貫，職稱，學位，學歷，簡歷及研究方向（任選），E-mail等，并在文后附第一作者近期一寸免冠證件照。

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